Bâti de croissance
La croissance de graphène par sublimation du carbure de silicium (SiC) est réalisée dans un bâti prototype (HTA-100 d’Annealsys) sous faible pression d’argon. Il est possible d’utiliser le four en configuration Dépôt Chimique en phase Vapeur (CVD).
- Les lignes de gaz disponibles sont les suivantes : Ar, N2, CH4, C2H4, C3H8, H2 ;
- La température maximum permise est de 2000 °C, avec une rampe jusqu’à 10°C/s.
- La plage de pression est comprise entre la pression atmosphérique et 10-6 mbar.
