Contrat de recherche : IXTASE

Ce projet vise à explorer de nouvelles nanostructures semi-conductrices hébergeant des excitons indirects (IX) et les états collectifs émergents que ces IX peuvent former. Nous ciblons les fluides d’IX dans deux types de matériaux : le GaN et les Dichalcogénures de Métaux de Transition (TMD). Le moment dipolaire des IX dans ces matériaux peut être manipulé à l’échelle atomique, tandis que leur grande énergie de liaison permet une température de dégénérescence quantique relativement élevée. Cela enrichit le diagramme de phase collective, comparé aux systèmes atomiques et au matériau GaAs. Les IX avec des moments dipolaires modulables, un couplage lumière-matière ajustable et des propriétés de transport peuvent être conçus avec différents types de TMD et en combinaison avec le GaN. L’objectif principal du projet : découvrir les phases collectives en contrôlant de nouvelles espèces d’IX.